高等学校工業 電子回路/増幅回路の基礎

トランジスタやダイオードは、温度が高くなると、抵抗が下がり、さらに電流が流れやすくなる。そして、電流が流れやすくなると、その電流による熱により、さらに温度が上がる。すると、さらに抵抗が下がるので、どんどん電流が流れてしまい、どんどん温度が上がってしまい、ついには、破壊されてしまうという、熱暴走が起きる危険がある。

このような熱暴走を起こさないため、さまざまな回路が考えられている。

目次

自己バイアス回路

自己バイアス回路

自己バイアス回路は、つぎのような仕組みにより、熱暴走をふせいでいる。1) 前提として、なんらかの理由で IC が増加したとする。↓2) すると、RCIC が増加するので、 VCE=VCC-RCIC により、 VCEが減少する。↓3) VCEが減少したことにより、IBも減る。↓4) ベース電流IBが減ったことにより、コレクタ電流も減るので、IC が減る。

という仕組みで、熱暴走をふせぐ。

なお、この回路は「電圧帰還バイアス回路」(voltage feedback bias circuit)ともいう。

電流帰還バイアス回路

ブリーダ電流バイアス回路

1) もしICが増加すると、REの両端の電圧 VREも増加する。↓2) すると、VBEが減少するので(なぜなら VBE=VB-VREであり、後述するがVBは(ほぼ)一定なので。)、IBが減る。↓3) IBが減れば、トランスジスタ出力側のICも減る。


こういう仕組みで、安定化する。

ほとんどの回路の場合、I1やI2に比べて、IBは微小である。

なので、実用上は、ほとんどの場合、I1 ≒ I2

である。 おおよそI1が、IBの10倍以上なら、I1 ≒ I2と近似してよい。

このことから、電圧VEの大きさは、オームの法則により、ベース電圧がVB=R2R1+R2VCC

{\displaystyle V_{B}={\frac {R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}}

というふうに簡単に求まる。

そして、ベース電圧VBが一定値であるという事実が、さきほどの式から分かる。

こうして、仕組みの説明(2)で、VBがほぼ一定と見なせる、と言ったことの根拠が、証明された。


この回路は、安定性は高いが、抵抗による消費電力が大きいのが欠点である。

交流信号の増幅

バイパスコンデンサのある回路


増幅器は、入力信号のオン/オフの切り替えに、反応させやすい回路構造が、望ましい。

そして、スイッチなどを、オン/オフの切り替えをすると、電圧波形や電流波形は起伏ができるから、交流っぽい形になっていく。

ところで、コンデンサ素子は、交流電流を通す性質がある。なので、コンデンサは、交流信号を通す。

ならば、増幅器とコンデンサを組み合わせると、都合がいい。


交流信号を増幅するには、図のように、コンデンサを使えばいい。(※ 高校物理で習うように、)コンデンサは、交流電流を通す。

ただし、この回路図での交流電源の電圧の大きさは、直流電源の電圧 Vccよりも、小さめにしておく必要がある。直流電圧よりも交流電圧 viを小さめにしておけば、交流電圧の波形の谷のぶぶんの状態でも、 つねにVcc+vi>0

の状態になるので、 ベース電圧がつねにプラスなので、ベース電流を流しつづけられる。

図のように、REに並列に加えるコンデンサCEバイパスコンデンサ(by-pass capacitor)という。

CEは、REの電圧変化による、増幅度の低下を防ぐ目的である。

なお、C1は、交流電圧だけを通過させて、トランジスタのベースに渡すためのコンデンサである。

C2は、トランジスタ出力のうち、交流電圧の成分だけを通すためのコンデンサである。

入力インピーダンス(h_ie)

トランジスタの静特性 (2SC1815)
入力インピーダンス h_ie の説明。

傾きが分かりやすいように、やや大げさにグラフを描いてある


トランジスタの静特性の第3象限のVBE – IB 特性を見てほしい。hie=ΔVBEΔIB

{\displaystyle h_{ie}={\frac {\Delta V_{BE}}{\Delta I_{B}}}}

上式のhieによって、そのトランジスタの入力インピーダンス(input impedance)を定義する。

ベースの交流電圧をibとして、ベースエミッタ間に印加される交流信号をvbeとすれば、hie=vBEiB

{\displaystyle h_{ie}={\frac {v_{BE}}{i_{B}}}}

である。

また、この式を電圧についてまとめると、vBE=hieiB

{\displaystyle v_{BE}=h_{ie}i_{B}}

である。

電圧増幅率

トランジスタ回路の電圧増幅率 Av の定義は、入力電圧をviとして、出力電圧をvoとしたとき、Av=vovi

{\displaystyle A_{v}={\frac {v_{o}}{v_{i}}}}

で定義される。

さきほどの節で導入した入力インピーダンスを使って入力電圧を書き換えることができる。vi=vBE

{\displaystyle v_{i}=v_{BE}}

のことだから、つまり、vi=vBE=hieiB

{\displaystyle v_{i}=v_{BE}=h_{ie}i_{B}}

よってvi=hieiB

{\displaystyle v_{i}=h_{ie}i_{B}}

である。

入力インピーダンスで書き換えた入力電圧の式を、電圧増幅率の定義式に代入すれば、Av=vohieiB

{\displaystyle A_{v}={\frac {v_{o}}{h_{ie}i_{B}}}}

である。

図2.1  エミッタ接地増幅回路

右図2.1のような回路の場合、Av=vohieiB=RLhfeiBhieiB=RLhfehie

{\displaystyle A_{v}={\frac {v_{o}}{h_{ie}i_{B}}}={\frac {R_{L}h_{fe}i_{B}}{h_{ie}i_{B}}}={\frac {R_{L}h_{fe}}{h_{ie}}}}

よって、Av=RLhfehie

{\displaystyle A_{v}={\frac {R_{L}h_{fe}}{h_{ie}}}}

と求まる。


なお電流増幅率 Aiは、定義式はAi=icib

{\displaystyle A_{i}={\frac {i_{c}}{i_{b}}}}

である。つまりAi=icib=hfe

{\displaystyle A_{i}={\frac {i_{c}}{i_{b}}}=h_{fe}}

である。

電力増幅率 APは、定義式はAP=PoPi

{\displaystyle A_{P}={\frac {P_{o}}{P_{i}}}}

である。つまりAP=VCEVBEICIB=AvAi

{\displaystyle A_{P}={\frac {V_{CE}}{V_{BE}}}{\frac {I_{C}}{I_{B}}}=A_{v}A_{i}}

である。

よかったらシェアしてね!
  • URLをコピーしました!
  • URLをコピーしました!

この記事を書いた人

コメント

コメントする

CAPTCHA


目次